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Transistor MOSFET IRF510

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El transistor tipo MOSFET esta fabricado por una estructura de materiales metal, oxido y semiconductor. Además es un transistor de efecto de campo
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Transistor MOSFET IRF510 canal N

El transistor tipo MOSFET esta fabricado por una estructura de materiales metal, oxido y semiconductor. Además es un transistor de efecto de campo. Es por esto que su nombre es MOSFET. Este tipo de transistores sirven tanto como para amplificar señales como para conmutar las mismas. El transistor MOSFET desplazó a los transistores tipo BJT o de unión bipolar. Una de las caracterisiticas más importantes de un MOSFET es que son controlados por voltaje (en la compuerta) y no por corriente (en la base, en el caso de los BJT). Entre otras ventajas es que tienen un consumo energético menor y mayor velocidad de conmutación.

MOSFET IRF510

De manera especifica, el transistor IRF510 es un MOSFET de potencia Este transistor tiene una resistencia Ron  pequeña y una velocidad de conmutación muy alta. Este transistor esta en su formato TO-220AB disipando aproximadamente hasta un máximo de 43W.
 

Especificaciones de MOSFET IRF510

  • Baja resistencia RDS.
  • Temperatura de operación: 175°C.
  • VDS=100V.
  • RDS=0.54 Ohms.
  • ID=4A.
  • Potencia: 43W.
 

Enlaces de interés para transistor MOSFET IRF510

 

Transistor MOSFET Enriquecimiento canal N

Considerando de manera general, un transistor MOSFET tiene dos tipo, el canal N y el canal P. Tomando en cuenta que partimos de que ya estamos en la estructura de un MOSFET de enriquecimiento. En la siguiente figura, en el lado izquierdo esta el canal P y en el lado derecho el canal N. En un canal N, el sustrato (SS) es de semiconductor tipo P, el sustrato se conecta de manera interna a la terminal de la fuente (S). La fuente (S) y el drenaje (D), están conectadas a un material tipo N a través de un contacto metálico. La compuerta sigue conectada a una placa metálica, separada al material del sustrato por un oxido de silicio, con propiedades dieléctricas.
 
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