Transistor MOSFET IRF510

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Transistor IRF9Z24N. Transistor MOSFET para aplicaciones de potencia.

 

ESPECFICACIONES

 

  • Corriente máxima: 5A.
  • Potencia de disipación: 43W.
  • Empaquetado: TO-220.
  • RDS: 0.54 Ohms.
  • VDSS: -55V.

 

ENLACES DE INTERES

 

Hoja de datos: http://www.vishay.com/docs/91015/sihf510.pdf

 

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