Fototransistor WP7113P3C KingBright Water Clear 5mm

Fototransistor Water Clear WP7113P3C

El fototransistor WP7113P3C de la marca KingBright es un componente optoelectrónico de encapsulado tipo domo (5mm) con lente Water Clear (transparente), diseñado para la detección de luz, comúnmente utilizado en aplicaciones de recepción infrarroja y sensado óptico. Su construcción de dos terminales facilita su integración en circuitos de prototipado y proyectos electrónicos.

Especificaciones

• Marca: KingBright
• Modelo / MPN: WP7113P3C
• Potencia máxima de disipación: 100mW
• Voltaje máximo: 30V
• Encapsulado: 5mm tipo domo, lente Water Clear (transparente)
• Terminales: 2 pines (cátodo y ánodo)

Características

• Lente transparente que permite una recepción óptica eficiente
• Diseño compacto para fácil montaje en protoboard o PCB
• Adecuado para circuitos de detección de luz y sensores ópticos
• Bajo consumo de energía

Aplicaciones sugeridas

• Sistemas de detección de presencia u obstáculos
• Receptores de control remoto infrarrojo
• Proyectos de robótica y automatización
• Circuitos de sensado de luz ambiental

Compatibilidad

Compatible con protoboards, PCBs perforadas y proyectos basados en microcontroladores como Arduino o similares, siempre que se respeten los límites eléctricos indicados (100mW, 30V máximo).

Especificaciones adicionales

• Tipo: Fototransistor de silicio, encapsulado radial de 5 mm, lente Water Clear (transparente)
• Longitud de onda de sensibilidad pico (λp): 940 nm
• Tensión de ruptura Colector-Emisor (V_BR CEO): 30 V mín. (a IC = 100µA, Ee = 0 mW/cm²)
• Tensión de ruptura Emisor-Colector (V_BR ECO): 5 V mín. (a IE = 100µA, Ee = 0 mW/cm²)
• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCE sat): 0.8 V máx. (IC = 2mA, Ee = 20 mW/cm²)
• Corriente oscura del colector (ICEO): 100 nA máx. (VCE = 10V, Ee = 0 mW/cm²)
• Corriente de colector en estado ON (I on): 0.5 mA mín. / 2.5 mA típ. (VCE = 5V, Ee = 1 mW/cm²)
• Tiempo de subida (10%-90%): 15 µs típ. (VCE = 5V, IC = 1mA, RL = 1000Ω)
• Tiempo de bajada (90%-10%): 15 µs típ.
• Disipación de potencia (Pd): 100 mW
• Temperatura de operación: -40°C a +85°C
• Cumplimiento: RoHS
• Aplicaciones típicas: sistemas de infrarrojos, interruptores optoelectrónicos, circuitos de control fotodetector, tecnología de sensores; mecánica y espectralmente compatible con lámparas LED emisoras de infrarrojo