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INTERNATIONAL RECTIFIER, IRFP250N
IRFP250N Transistor MOSFET Canal N. El esta formado por materiales metal, oxido y semiconductor. Además es un transistor de efecto de campo. Estos transistores sirven para amplificar señales y para conmutar las mismas. El transistor MOSFET desplazó a los transistores tipo BJT o de unión bipolar. Una de las caracterisiticas más importantes de un MOSFET es que son controlados por voltaje (en la compuerta) y no por corriente (en la base, en el caso de los BJT). Entre otras ventajas es que tienen un consumo energético menor y mayor velocidad de conmutación.
Especificaciones de MOSFET IRFZ44N
- Baja resistencia RDS.
- Temperatura de operación: 175°C.
- VDSS=200V.
- RDS=75mOhms (*mili).
- ID=30A.
- Potencia: 214W.