IRFP250N Transistor MOSFET Canal N

IRFP250N Transistor MOSFET Canal N. El esta formado por materiales metal, oxido y semiconductor. Además es un transistor de efecto de campo. Estos transistores sirven para amplificar señales y para conmutar las mismas. El transistor MOSFET desplazó a los transistores tipo BJT o de unión bipolar. Una de las caracterisiticas más importantes de un MOSFET es que son controlados por voltaje (en la compuerta) y no por corriente (en la base, en el caso de los BJT). Entre otras ventajas es que tienen un consumo energético menor y mayor velocidad de conmutación.

Especificaciones

• Baja resistencia RDS.
• Temperatura de operación: 175°C.
• VDSS=200V.
• RDS=75mOhms (*mili).
• ID=30A.
• Potencia: 214W.