Carrito vacío
TIRF0510
Hover on image to enlarge
Descripción
El IRF510 es un transistor tipo MOSFET de canal N esta fabricado por una estructura de materiales metal, oxido y semiconductor. Además es un transistor de efecto de campo. Es por esto que su nombre es MOSFET. Este tipo de transistores sirven tanto como para amplificar señales como para conmutar las mismas. El transistor MOSFET desplazó a los transistores tipo BJT o de unión bipolar. Una de las caracterisiticas más importantes de un MOSFET es que son controlados por voltaje (en la compuerta) y no por corriente (en la base, en el caso de los BJT). Entre otras ventajas es que tienen un consumo energético menor y mayor velocidad de conmutación.
MOSFET IRF510
De manera especifica, el transistor IRF510 es un MOSFET de potencia Este transistor tiene una resistencia Ron pequeña y una velocidad de conmutación muy alta. Este transistor esta en su formato TO-220AB disipando aproximadamente hasta un máximo de 43W.
Especificaciones de MOSFET IRF510
- Baja resistencia RDS.
- Temperatura de operación: 175°C.
- VDS=100V.
- RDS=0.54 Ohms.
- ID=4A.
- Potencia: 43W.
Hoja de datos: https://www.vishay.com/docs/91015/irf510.pdf
Opiniones
No se encontraron opiniones
Opinar sobre este producto
Comparte tu opinión con otros clientes