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TBBD0135-GN_61-0

Transistor bipolar de efecto de campo o BJT del tipo NPN. Este transistor soporta hasta 1.5A. El empaquetado es SOT-32.

ESPECIFICACIONES

  • Polaridad del transistor: NPN.
  • Voltaje colector a base: 45V.
  • Voltaje emisor a base: 5V.
  • Empaquetado: SOT-32.
  • Potencia: 1.25W.

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