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Transistor MOSFET IRFP250N canal N
El MOSFET esta formado por materiales metal, oxido y semiconductor. Además es un transistor de efecto de campo (Field Effect). Es por esto que su nombre es MOSFET (Metal Oxido Semiconductor FET). Estos transistores sirven para amplificar señales y para conmutar las mismas. El transistor MOSFET desplazó a los transistores tipo BJT o de unión bipolar. Una de las caracterisiticas más importantes de un MOSFET es que son controlados por voltaje (en la compuerta) y no por corriente (en la base, en el caso de los BJT). Entre otras ventajas es que tienen un consumo energético menor y mayor velocidad de conmutación.MOSFET IRFP250N HEXFET®
De manera especifica, el transistor IRFP250N es un MOSFET de potencia ó como el nombre comercial HEXFET. Este transistor tiene una resistencia Ron muy pequeña y una velocidad de conmutación muy alta. Este transistor esta en su formato TO-247AC disipando aproximadamente hasta un máximo de 214W.
Especificaciones de MOSFET IRFZ44N
- Baja resistencia RDS.
- Temperatura de operación: 175°C.
- VDSS=200V.
- RDS=75mOhms (*mili).
- ID=30A.
- Potencia: 214W.
Enlaces de interés para transistor MOSFET IRFZ44N
Transistor MOSFET Enriquecimiento canal N
Considerando de manera general, un transistor MOSFET tiene dos tipo, el canal N y el canal P. Tomando en cuenta que partimos de que ya estamos en la estructura de un MOSFET de enriquecimiento. En la siguiente figura, en el lado izquierdo esta el canal P y en el lado derecho el canal N. En un canal N, el sustrato (SS) es de semiconductor tipo P, el sustrato se conecta de manera interna a la terminal de la fuente (S). La fuente (S) y el drenaje (D), están conectadas a un material tipo N a través de un contacto metálico. La compuerta sigue conectada a una placa metálica, separada al material del sustrato por un oxido de silicio, con propiedades dieléctricas.