Error, tu visualizador WEB no soporta JAVASCRIPT!
0 Your Carrito

Transistor MOSFET IRF9Z24N

Mover el mouse sobre la imagen para agrandar

$44.00
Precio con puntos: 53 puntos
Puntos de recompensa: 2 puntos
12 Artículo(s)
Descuentos de mayoreo:
Cantidad 5+ 10+
Precio $41.80 $39.60
+
El transistor MOSFET, canal N y P, esta formado por una estructura de materiales metal, oxido y semiconductor. Además es un transistor de efecto de campo (FET).
TIRF9240-GN_52-0

Transistor MOSFET IRF9Z24N canal N

El transistor MOSFET, canal N y P, esta formado por una estructura de materiales metal, oxido y semiconductor. Además es un transistor de efecto de campo (FET). Es por esto que su nombre es MOSFET. Este tipo de transistores sirven tanto como para amplificar señales asi como también para conmutar las mismas. El transistor MOSFET, actualmente, desplazó a los transistores tipo BJT o de unión bipolar (Como el clasico 2N2222). Una de las caracterisiticas más importantes de un MOSFET es que son controlados por voltaje (en la compuerta o gate) y no por corriente (en la base, en el caso de los BJT). Entre otras ventajas es que tienen un consumo energético menor y mayor velocidad de conmutación. Es por esto que son la base principal de las tecnologias de ICs actualmente.

MOSFET IRF9Z24N HEXFET®

De manera especifica, el transistor IRF9Z24N es un MOSFET de potencia ó como el nombre comercial HEXFET. Este transistor tiene una resistencia Ron muy pequeña y una velocidad de conmutación muy alta. Este transistor esta en su formato TO-220 disipando aproximadamente hasta un máximo de 45W.
 

Especificaciones de MOSFET IRF9Z24N

  • Baja resistencia RDS.
  • Temperatura de operación: 175°C.
  • VDSS=-55V.
  • RDS=17.5mOhms (*mili).
  • ID=-12A.
  • Potencia: 45W.
 

Enlaces de interés para transistor MOSFET IRFZ44N

 

Transistor MOSFET Enriquecimiento canal P

Considerando de manera general, un transistor MOSFET tiene dos tipo, el canal N y el canal P. Tomando en cuenta que partimos de que ya estamos en la estructura de un MOSFET de enriquecimiento. En la siguiente figura, en el lado izquierdo esta el canal P y en el lado derecho el canal N. En un canal N, el sustrato (SS) es de semiconductor tipo P, el sustrato se conecta de manera interna a la terminal de la fuente (S). La fuente (S) y el drenaje (D), están conectadas a un material tipo N a través de un contacto metálico. La compuerta sigue conectada a una placa metálica, separada al material del sustrato por un oxido de silicio, con propiedades dieléctricas.
 

 

 

 

Servicio de entrega rápido

Hacemos envios a toda la República Mexicana por DHL o Estafeta. El costo de envío es gratis para pedidos mayores a $1000.00

Garantía

Ve nuestras políticas de garantía y devoluciones