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MOSFET de alta potencia IRFD311

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GTIN:750302602411
IRFD0311-0-0

MOSFET de alta potencia IRFD311 3era generación de energía proporciona una combinación de conmutación rápida, diseño robusto y baja resistencia. Cuenta con 4 pines, su carcasa insertable de bajo costo que puede tener múltiples combinaciones 0 y 1. El drenaje doble sirve como enlace térmico para niveles de disipación de potencia de hasta 1W.  

Especificaciones:

  • Disipación total del dispositivo (Pd): 1.3W
  • Tensión drenaje-fuente (Vsd): 400V
  • Tensión compuerta-fuente (Vgs): +-20V
  • Tensión de umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4V
  • Corriente continua de drenaje (Id): 0.42A
  • Temperatura de trabajo (Tj):-55°c a +150°C
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