MOSFET de alta potencia IRFD311 canal N

MOSFET de alta potencia IRFD311 3era generación de energía proporciona una combinación de conmutación rápida, diseño robusto y baja resistencia. Cuenta con 4 pines, su carcasa insertable de bajo costo que puede tener múltiples combinaciones 0 y 1. El drenaje doble sirve como enlace térmico para niveles de disipación de potencia de hasta 1W.

Especificaciones:

• Disipación total del dispositivo (Pd): 1.3 W
• Tensión drenaje-fuente (Vsd): 400 V
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): +-20 V
• Tensión de umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 0.42 A
• Temperatura de trabajo (Tj):-55 °C a +150 °C