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Valido hasta el 20 de Abril del 2023
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MOSFET de alta potencia IRFD311 3era generación de energía proporciona una combinación de conmutación rápida, diseño robusto y baja resistencia. Cuenta con 4 pines, su carcasa insertable de bajo costo que puede tener múltiples combinaciones 0 y 1. El drenaje doble sirve como enlace térmico para niveles de disipación de potencia de hasta 1W.
Especificaciones:
- Disipación total del dispositivo (Pd): 1.3 W
- Tensión drenaje-fuente (Vsd): 400 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): +-20 V
- Tensión de umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 0.42 A
- Temperatura de trabajo (Tj):-55 °C a +150 °C